SIA427DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
型号
SIA427DJ-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® SC-70-6
供应商器件封装
PowerPAK® SC-70-6 Single
功率耗散（最大）
3.5W (Ta), 19W (Tc)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
8V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
12A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
800mV @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
50nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2300pF @ 4V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
1.2V, 4.5V
电压 (最大值)
±5V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 chen_hx1688@hotmail.com，我们将尽快回复。
有货 54554 PCS
联系信息
相关产品
关键词 SIA427DJ-T1-GE3
SIA427DJ-T1-GE3 电子元件
SIA427DJ-T1-GE3 销售
SIA427DJ-T1-GE3 供应商
SIA427DJ-T1-GE3 分销商
SIA427DJ-T1-GE3 数据表
SIA427DJ-T1-GE3 图片
SIA427DJ-T1-GE3 报价
SIA427DJ-T1-GE3 提供
SIA427DJ-T1-GE3 最低价格
SIA427DJ-T1-GE3 搜索
SIA427DJ-T1-GE3 购买
SIA427DJ-T1-GE3 芯片