SI8904EDB-T2-E1
MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6-MFP
型号
SI8904EDB-T2-E1
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-MICRO FOOT®CSP
功率 - 最大
1W
供应商器件封装
6-Micro Foot™ (1.5x1)
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
3.8A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
-
Vgs(th)（最大值）@Id
1.6V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 [email protected]，我们将尽快回复。
有货 18116 PCS
联系信息
相关产品
关键词 SI8904EDB-T2-E1
SI8904EDB-T2-E1 电子元件
SI8904EDB-T2-E1 销售
SI8904EDB-T2-E1 供应商
SI8904EDB-T2-E1 分销商
SI8904EDB-T2-E1 数据表
SI8904EDB-T2-E1 图片
SI8904EDB-T2-E1 报价
SI8904EDB-T2-E1 提供
SI8904EDB-T2-E1 最低价格
SI8904EDB-T2-E1 搜索
SI8904EDB-T2-E1 购买
SI8904EDB-T2-E1 芯片