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SI8901EDB-T2-E1

SI8901EDB-T2-E1

MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6-MFP
型号
SI8901EDB-T2-E1
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
包装
Digi-Reel®
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-MICRO FOOT®CSP
功率 - 最大
1W
供应商器件封装
6-Micro Foot™ (1.5x1)
场效应晶体管类型
2 P-Channel (Dual) Common Drain
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
3.5A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
-
Vgs(th)(最大值)@Id
1V @ 350µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
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