SI8475EDB-T1-E1
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
型号
SI8475EDB-T1-E1
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Last Time Buy
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
4-XFBGA, CSPBGA
供应商器件封装
4-Microfoot
功率耗散（最大）
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
-
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
32 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
2.5V, 4.5V
电压 (最大值)
±12V
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