SI7960DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
型号
SI7960DP-T1-E3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
包装
Digi-Reel®
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® SO-8 Dual
功率 - 最大
1.4W
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8 Dual
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
6.2A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
21 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
75nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
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