SI6926ADQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
型号
SI6926ADQ-T1-GE3
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
功率 - 最大
830mW
供应商器件封装
8-TSSOP
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
4.1A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
10.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 [email protected]，我们将尽快回复。
有货 13552 PCS
联系信息
相关产品
关键词 SI6926ADQ-T1-GE3
SI6926ADQ-T1-GE3 电子元件
SI6926ADQ-T1-GE3 销售
SI6926ADQ-T1-GE3 供应商
SI6926ADQ-T1-GE3 分销商
SI6926ADQ-T1-GE3 数据表
SI6926ADQ-T1-GE3 图片
SI6926ADQ-T1-GE3 报价
SI6926ADQ-T1-GE3 提供
SI6926ADQ-T1-GE3 最低价格
SI6926ADQ-T1-GE3 搜索
SI6926ADQ-T1-GE3 购买
SI6926ADQ-T1-GE3 芯片