SI4830CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
20 mOhm @ 8A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
950pF @ 15V
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