SI4561DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-SOIC
型号
SI4561DY-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
功率 - 最大
3W, 3.3W
供应商器件封装
8-SO
场效应晶体管类型
N and P-Channel
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
40V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
6.8A, 7.2A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
35.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
640pF @ 20V
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