SI4403CDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SOIC
型号
SI4403CDY-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
包装
Digi-Reel®
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SO
功率耗散（最大）
5W (Tc)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
13.4A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
15.5 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
90nC @ 8V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2380pF @ 10V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
1.8V, 4.5V
电压 (最大值)
±8V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 chen_hx1688@hotmail.com，我们将尽快回复。
有货 47343 PCS
联系信息
相关产品
关键词 SI4403CDY-T1-GE3
SI4403CDY-T1-GE3 电子元件
SI4403CDY-T1-GE3 销售
SI4403CDY-T1-GE3 供应商
SI4403CDY-T1-GE3 分销商
SI4403CDY-T1-GE3 数据表
SI4403CDY-T1-GE3 图片
SI4403CDY-T1-GE3 报价
SI4403CDY-T1-GE3 提供
SI4403CDY-T1-GE3 最低价格
SI4403CDY-T1-GE3 搜索
SI4403CDY-T1-GE3 购买
SI4403CDY-T1-GE3 芯片