SI3459BDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
型号
SI3459BDV-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP
功率耗散（最大）
2W (Ta), 3.3W (Tc)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
2.9A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
216 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
350pF @ 30V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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