SI2327DS-T1-E3
MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3
型号
SI2327DS-T1-E3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3 (TO-236)
功率耗散（最大）
750mW (Ta)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
200V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
380mA (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
2.35 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
510pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
6V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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