SI2312BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
型号
SI2312BDS-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3 (TO-236)
功率耗散（最大）
750mW (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
3.9A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
31 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
850mV @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
12nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
1.8V, 4.5V
电压 (最大值)
±8V
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