SI1026X-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
型号
SI1026X-T1-E3
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-563, SOT-666
功率 - 最大
250mW
供应商器件封装
SC-89-6
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
305mA
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
30pF @ 25V
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