SI1012X-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
型号
SI1012X-T1-E3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SC-89, SOT-490
供应商器件封装
SC-89-3
功率耗散（最大）
250mW (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
500mA (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
900mV @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
1.8V, 4.5V
电压 (最大值)
±6V
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