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IRLD120PBF

IRLD120PBF

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
型号
IRLD120PBF
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
4-DIP (0.300", 7.62mm)
供应商器件封装
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
功率耗散(最大)
1.3W (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
1.3A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
270 mOhm @ 780mA, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
12nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
490pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
4V, 5V
电压 (最大值)
±10V
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有货 34633 PCS
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