购买 Transphorm TPH3206LDB MOSFET N-CH 650V 16A PQFN - YYIC

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TPH3206LDB

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TPH3206LDB

MOSFET N-CH 650V 16A PQFN

型号

TPH3206LDB

制造商/品牌

Transphorm

系列

-

零件状态

Last Time Buy

包装

Tube

技术

GaNFET (Gallium Nitride)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/箱体

4-PowerDFN

供应商器件封装

PQFN (8x8)

功率耗散（最大）

81W (Tc)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

650V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

16A (Tc)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

180 mOhm @ 10A, 8V

Vgs(th)（最大值）@Id

2.6V @ 500µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

720pF @ 480V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

8V

电压 (最大值)

±18V

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