图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
TK31V60X,LQ

TK31V60X,LQ

MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN
型号
TK31V60X,LQ
系列
DTMOSIV-H
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
4-VSFN Exposed Pad
供应商器件封装
4-DFN-EP (8x8)
功率耗散(最大)
240W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
Super Junction
漏源电压 (Vdss)
600V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
30.8A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
98 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
3.5V @ 1.5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3000pF @ 300V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±30V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 [email protected],我们将尽快回复。
有货 16054 PCS
联系信息
关键词 TK31V60X,LQ
TK31V60X,LQ 电子元件
TK31V60X,LQ 销售
TK31V60X,LQ 供应商
TK31V60X,LQ 分销商
TK31V60X,LQ 数据表
TK31V60X,LQ 图片
TK31V60X,LQ 报价
TK31V60X,LQ 提供
TK31V60X,LQ 最低价格
TK31V60X,LQ 搜索
TK31V60X,LQ 购买
TK31V60X,LQ 芯片