TJ10S04M3L(T6L1,NQ
MOSFET P-CH 40V 10A DPAK-3
型号
TJ10S04M3L(T6L1,NQ
系列
U-MOSVI
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装
DPAK+
功率耗散（最大）
27W (Tc)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
40V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
10A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
44 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
19nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
930pF @ 10V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
6V, 10V
电压 (最大值)
+10V, -20V
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