SSM6N42FE(TE85L,F)
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
型号
SSM6N42FE(TE85L,F)
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-563, SOT-666
功率 - 最大
150mW
供应商器件封装
ES6 (1.6x1.6)
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
800mA
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
240 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
90pF @ 10V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 [email protected]，我们将尽快回复。
有货 39386 PCS
联系信息
相关产品
关键词 SSM6N42FE(TE85L,F)
SSM6N42FE(TE85L,F) 电子元件
SSM6N42FE(TE85L,F) 销售
SSM6N42FE(TE85L,F) 供应商
SSM6N42FE(TE85L,F) 分销商
SSM6N42FE(TE85L,F) 数据表
SSM6N42FE(TE85L,F) 图片
SSM6N42FE(TE85L,F) 报价
SSM6N42FE(TE85L,F) 提供
SSM6N42FE(TE85L,F) 最低价格
SSM6N42FE(TE85L,F) 搜索
SSM6N42FE(TE85L,F) 购买
SSM6N42FE(TE85L,F) 芯片