SSM3K35MFV,L3F
X34 PB-F VESM NCH S-MOS TRANSIST
型号
SSM3K35MFV,L3F
系列
-
零件状态
Active
包装
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-723
供应商器件封装
VESM
功率耗散（最大）
150mW (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
180mA (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
9.5pF @ 3V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
1.2V, 4V
电压 (最大值)
±10V
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