CSD87334Q3DT
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
型号
CSD87334Q3DT
制造商/品牌
系列
NexFET™
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerTDFN
功率 - 最大
6W
供应商器件封装
8-VSON (3.3x3.3)
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
-
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
6 mOhm @ 12A, 8V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
8.3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1260pF @ 15V
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