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CSD86350Q5D

CSD86350Q5D

MOSFET 2N-CH 25V 40A 8SON
型号
CSD86350Q5D
制造商/品牌
系列
NexFET™
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerLDFN
功率 - 最大
13W
供应商器件封装
8-LSON (5x6)
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
25V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
40A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
6 mOhm @ 20A, 8V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
10.7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1870pF @ 12.5V
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