CSD86336Q3DT
SYNCHRONOUS BUCK NEXFET POWER BL
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate, 5V Drive
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
20A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th)(最大值)@Id
1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
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