TSM680P06DPQ56 RLG
MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
型号
TSM680P06DPQ56 RLG
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerTDFN
功率 - 最大
3.5W
供应商器件封装
8-PDFN (5x6)
场效应晶体管类型
2 P-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
12A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
68 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
16.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
870pF @ 30V
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