RQ3E160ADTB
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
型号
RQ3E160ADTB
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerVDFN
供应商器件封装
8-HSMT (3.2x3)
功率耗散（最大）
2W (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
16A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
4.5 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
51nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2550pF @ 15V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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