R6030KNZ1C9
MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247
型号
R6030KNZ1C9
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
功率耗散（最大）
305W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
600V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
30A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
130 mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
56nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2350pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±20V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 chen_hx1688@hotmail.com，我们将尽快回复。
有货 52827 PCS
联系信息
相关产品
关键词 R6030KNZ1C9
R6030KNZ1C9 电子元件
R6030KNZ1C9 销售
R6030KNZ1C9 供应商
R6030KNZ1C9 分销商
R6030KNZ1C9 数据表
R6030KNZ1C9 图片
R6030KNZ1C9 报价
R6030KNZ1C9 提供
R6030KNZ1C9 最低价格
R6030KNZ1C9 搜索
R6030KNZ1C9 购买
R6030KNZ1C9 芯片