NTNS3A65PZT5G
MOSFET P-CH 20V 0.281A SOT883
型号
NTNS3A65PZT5G
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SC-101, SOT-883
供应商器件封装
SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
功率耗散（最大）
155mW (Ta)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
281mA (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
1.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
1.1nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
44pF @ 10V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
1.5V, 4.5V
电压 (最大值)
±8V
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