NTHD3102CT1G
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
4A, 3.1A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
45 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id
1.2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
7.9nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
510pF @ 10V
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