FQD3N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
型号
FQD3N60CTM-WS
制造商/品牌
系列
QFET®
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装
D-Pak
功率耗散（最大）
50W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
600V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
2.4A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
3.4 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
14nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
565pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±30V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 [email protected]，我们将尽快回复。
有货 48348 PCS
联系信息
相关产品
关键词 FQD3N60CTM-WS
FQD3N60CTM-WS 电子元件
FQD3N60CTM-WS 销售
FQD3N60CTM-WS 供应商
FQD3N60CTM-WS 分销商
FQD3N60CTM-WS 数据表
FQD3N60CTM-WS 图片
FQD3N60CTM-WS 报价
FQD3N60CTM-WS 提供
FQD3N60CTM-WS 最低价格
FQD3N60CTM-WS 搜索
FQD3N60CTM-WS 购买
FQD3N60CTM-WS 芯片