PSMN3R9-60XSQ
MOSFET N-CH 60V 75A TO-220F
型号
PSMN3R9-60XSQ
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
供应商器件封装
TO-220F
功率耗散（最大）
55W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
75A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
103nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
5494pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±20V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 [email protected]，我们将尽快回复。
有货 5190 PCS
联系信息
相关产品
关键词 PSMN3R9-60XSQ
PSMN3R9-60XSQ 电子元件
PSMN3R9-60XSQ 销售
PSMN3R9-60XSQ 供应商
PSMN3R9-60XSQ 分销商
PSMN3R9-60XSQ 数据表
PSMN3R9-60XSQ 图片
PSMN3R9-60XSQ 报价
PSMN3R9-60XSQ 提供
PSMN3R9-60XSQ 最低价格
PSMN3R9-60XSQ 搜索
PSMN3R9-60XSQ 购买
PSMN3R9-60XSQ 芯片