购买 NXP USA Inc. PMWD26UN,518 MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP - YYIC

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PMWD26UN,518

数据表

PMWD26UN,518

MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP

型号

PMWD26UN,518

制造商/品牌

NXP USA Inc.

系列

TrenchMOS™

零件状态

Obsolete

包装

Cut Tape (CT)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/箱体

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

功率 - 最大

3.1W

供应商器件封装

8-TSSOP

场效应晶体管类型

2 N-Channel (Dual)

场效应晶体管特性

Logic Level Gate

漏源电压 (Vdss)

20V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

7.8A

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

30 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)（最大值）@Id

700mV @ 1mA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

23.6nC @ 4.5V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1366pF @ 16V

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