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PSMN8R7-100YSFX
PSMN8R7-100YSF/SOT669/LFPAK
型号
PSMN8R7-100YSFX
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
供应商器件封装
LFPAK56, Power-SO8
功率耗散（最大）
198W
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
100A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
-
Vgs(th)（最大值）@Id
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
38.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
-
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