PSMN6R0-25YLDX
PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
型号
PSMN6R0-25YLDX
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SC-100, SOT-669
供应商器件封装
LFPAK56, Power-SO8
功率耗散（最大）
43W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
Schottky Diode (Body)
漏源电压 (Vdss)
25V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
61A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
6.75 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.2V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
10.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
705pF @ 12V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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