图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
PMZB600UNEYL

PMZB600UNEYL

MOSFET N-CH 20V 3QFN
型号
PMZB600UNEYL
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
3-XFDFN
供应商器件封装
DFN1006B-3
功率耗散(最大)
360mW (Ta), 2.7W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
600mA (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
620 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id
950mV @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
21.3pF @ 10V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
1.2V, 4.5V
电压 (最大值)
±8V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 [email protected],我们将尽快回复。
有货 42451 PCS
联系信息
关键词 PMZB600UNEYL
PMZB600UNEYL 电子元件
PMZB600UNEYL 销售
PMZB600UNEYL 供应商
PMZB600UNEYL 分销商
PMZB600UNEYL 数据表
PMZB600UNEYL 图片
PMZB600UNEYL 报价
PMZB600UNEYL 提供
PMZB600UNEYL 最低价格
PMZB600UNEYL 搜索
PMZB600UNEYL 购买
PMZB600UNEYL 芯片