PMPB12UNEX
MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN2020MD
型号
PMPB12UNEX
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-UDFN Exposed Pad
供应商器件封装
6-DFN2020MD (2x2)
功率耗散（最大）
470mW (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
11.4A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
16 mOhm @ 7.9A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
900mV @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1220pF @ 10V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
1.8V, 4.5V
电压 (最大值)
±12V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 [email protected]，我们将尽快回复。
有货 53570 PCS
联系信息
相关产品
关键词 PMPB12UNEX
PMPB12UNEX 电子元件
PMPB12UNEX 销售
PMPB12UNEX 供应商
PMPB12UNEX 分销商
PMPB12UNEX 数据表
PMPB12UNEX 图片
PMPB12UNEX 报价
PMPB12UNEX 提供
PMPB12UNEX 最低价格
PMPB12UNEX 搜索
PMPB12UNEX 购买
PMPB12UNEX 芯片