PHT6NQ10T,135
MOSFET N-CH 100V 3A SOT223
型号
PHT6NQ10T,135
制造商/品牌
系列
TrenchMOS™
零件状态
Active
包装
Digi-Reel®
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223
功率耗散（最大）
1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
3A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
90 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
21nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
633pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±20V
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