APTM120A29FTG
MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
漏源电压 (Vdss)
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
34A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
348 mOhm @ 17A, 10V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
374nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
10300pF @ 25V
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