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APTM10DSKM09T3G

APTM10DSKM09T3G

MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
型号
APTM10DSKM09T3G
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Bulk
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SP3
功率 - 最大
390W
供应商器件封装
SP3
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
139A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
10 mOhm @ 69.5A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
4V @ 2.5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
350nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
9875pF @ 25V
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有货 30045 PCS
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