APTM100DA18T1G
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
型号
APTM100DA18T1G
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Bulk
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SP1
供应商器件封装
SP1
功率耗散（最大）
657W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
1000V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
40A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
216 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
5V @ 2.5mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
570nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
14800pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±30V
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