APT70SM70B
POWER MOSFET - SIC
型号
APT70SM70B
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Bulk
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247 [B]
功率耗散（最大）
300W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
700V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
65A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
70 mOhm @ 32.5A, 20V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
125nC @ 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
20V
电压 (最大值)
+25V, -10V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 [email protected]，我们将尽快回复。
有货 36302 PCS
联系信息
相关产品
关键词 APT70SM70B
APT70SM70B 电子元件
APT70SM70B 销售
APT70SM70B 供应商
APT70SM70B 分销商
APT70SM70B 数据表
APT70SM70B 图片
APT70SM70B 报价
APT70SM70B 提供
APT70SM70B 最低价格
APT70SM70B 搜索
APT70SM70B 购买
APT70SM70B 芯片