IXXH30N65C4D1
IGBT
型号
IXXH30N65C4D1
制造商/品牌
系列
XPT™, GenX4™
零件状态
Active
包装
-
输入类型
Standard
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
功率 - 最大
230W
供应商器件封装
TO-247AD
反向恢复时间 (trr)
72ns
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
62A
电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）
650V
IGBT类型
-
Vce(on)（最大值）@Vge，Ic
2.5V @ 15V, 30A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
136A
转换能源
1.1mJ (on), 400µJ (off)
栅极电荷
47nC
Td（开/关）@25°C
20ns/140ns
测试条件
400V, 30A, 15 Ohm, 15V
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