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IXTY1R6N50P

IXTY1R6N50P

MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
型号
IXTY1R6N50P
制造商/品牌
系列
PolarHV™
零件状态
Last Time Buy
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装
TO-252, (D-Pak)
功率耗散(最大)
43W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
500V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
1.6A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
6.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
5.5V @ 25µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
3.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
140pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±30V
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有货 40582 PCS
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