图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
IXTQ36N50P

IXTQ36N50P

MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P
型号
IXTQ36N50P
制造商/品牌
系列
PolarHV™
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
功率耗散(最大)
540W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
500V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
36A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
170 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
85nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
5500pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±30V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 [email protected],我们将尽快回复。
有货 48070 PCS
联系信息
关键词 IXTQ36N50P
IXTQ36N50P 电子元件
IXTQ36N50P 销售
IXTQ36N50P 供应商
IXTQ36N50P 分销商
IXTQ36N50P 数据表
IXTQ36N50P 图片
IXTQ36N50P 报价
IXTQ36N50P 提供
IXTQ36N50P 最低价格
IXTQ36N50P 搜索
IXTQ36N50P 购买
IXTQ36N50P 芯片