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IXTP230N04T4

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IXTP230N04T4

MOSFET N-CH

型号

IXTP230N04T4

制造商/品牌

IXYS

系列

TrenchT4™

零件状态

Active

包装

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安装类型

Through Hole

封装/箱体

TO-220-3

供应商器件封装

TO-220AB

功率耗散（最大）

340W (Tc)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

40V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

230A (Tc)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

2.9 mOhm @ 115A, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

4V @ 250µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

140nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

7400pF @ 25V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

10V

电压 (最大值)

±15V

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