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IXTN8N150L

IXTN8N150L

MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
型号
IXTN8N150L
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
SOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227B
功率耗散(最大)
545W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
1500V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
7.5A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
3.6 Ohm @ 4A, 20V
Vgs(th)(最大值)@Id
8V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
250nC @ 15V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
8000pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
20V
电压 (最大值)
±30V
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