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IXTF6N200P3

IXTF6N200P3

MOSFET N-CH
型号
IXTF6N200P3
制造商/品牌
系列
Polar™
零件状态
Active
包装
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
i4-Pac™-5 (3 Leads)
供应商器件封装
ISOPLUS i4-PAC™
功率耗散(最大)
215W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
2000V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
4A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
4.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
143nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3700pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±20V
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