购买 IXYS IXTA18P10T MOSFET P-CH 100V 18A TO-263 - YYIC

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IXTA18P10T

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IXTA18P10T

MOSFET P-CH 100V 18A TO-263

型号

IXTA18P10T

制造商/品牌

IXYS

系列

TrenchP™

零件状态

Active

包装

Tube

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/箱体

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装

TO-263 (IXTA)

功率耗散（最大）

83W (Tc)

场效应晶体管类型

P-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

100V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

18A (Tc)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

120 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

4.5V @ 250µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

39nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

2100pF @ 25V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

10V

电压 (最大值)

±15V

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