图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
IXTA180N10T7

IXTA180N10T7

MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7
型号
IXTA180N10T7
制造商/品牌
系列
TrenchMV™
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
供应商器件封装
TO-263-7 (IXTA..7)
功率耗散(最大)
480W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
180A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
6.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
4.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
151nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
6900pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±30V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”,我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题,请留言或发送电子邮件至 [email protected],我们将尽快回复。
有货 16622 PCS
联系信息
关键词 IXTA180N10T7
IXTA180N10T7 电子元件
IXTA180N10T7 销售
IXTA180N10T7 供应商
IXTA180N10T7 分销商
IXTA180N10T7 数据表
IXTA180N10T7 图片
IXTA180N10T7 报价
IXTA180N10T7 提供
IXTA180N10T7 最低价格
IXTA180N10T7 搜索
IXTA180N10T7 购买
IXTA180N10T7 芯片