IXFT18N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
型号
IXFT18N100Q3
制造商/品牌
系列
HiPerFET™
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供应商器件封装
TO-268
功率耗散（最大）
830W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
1000V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
18A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
660 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
6.5V @ 4mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
90nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
4890pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±30V
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