IXFR34N80
MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
型号
IXFR34N80
制造商/品牌
系列
HiPerFET™
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
ISOPLUS247™
供应商器件封装
ISOPLUS247™
功率耗散（最大）
416W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
800V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
28A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
240 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 8mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
270nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
7500pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±20V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 [email protected]，我们将尽快回复。
有货 47276 PCS
联系信息
相关产品
关键词 IXFR34N80
IXFR34N80 电子元件
IXFR34N80 销售
IXFR34N80 供应商
IXFR34N80 分销商
IXFR34N80 数据表
IXFR34N80 图片
IXFR34N80 报价
IXFR34N80 提供
IXFR34N80 最低价格
IXFR34N80 搜索
IXFR34N80 购买
IXFR34N80 芯片